Intel
giới thiệu dòng SSD Pro 1500 tối ưu cho bảo mật
Tại Hội
nghị dành cho lập trình viên của chính mình là IDF 2013, Intel vừa ra mắt dòng
ổ cứng thể rắn SSD mới Pro 1500 Series. Dòng SSD này được Intel hướng tới đối
tượng doanh nghiệp. Do đó, hãng đã trang bị cho nó những tính năng bảo mật tốt.
Pro
1500 Series có kích thước 2,5 inch và chuẩn M.2 (chiều dài khoảng 60
mm hoặc 80 mm), dung lượng từ 80 GB đến 480 GB, được trang bị engine mã hóa AES
256 bit, trạng thái điện áp thấp giúp giảm điện năng tiêu thụ ở chế độ nghỉ
(idle).
Cụ thể, tính năng DevSleep cho
phép đưa SSD vào trạng thái "ngủ
sâu" khi nó không được chip xử lý dùng đến. Khi sử dụng
Pro 1500 Series trên các hệ thống tương thích với công nghệ vPro về quản lý và
bảo mật của Intel, các chuyên viên IT có thể điều khiển dòng SSD này từ xa cho
dù ở thời điểm điều khiển hệ thống có được bật hay không.
Pro 1500 Series có tốc độ đọc tuần tự 540 MBps, còn tốc độ ghi tuần tự 490
MBps, IOPS 80.000. Đây hứa hẹn là dòng SSD cạnh tranh với dòng 840 Pro của
Samsung. Hiện Intel chưa công bố giá bán cho dòng SSD mới này.
Dịch vụ : Thuê máy chủ ,Thuê chỗ đặt máy chủ ( idconline.vn )
Khi mà các nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND luôn tự hào về các tiến trình công nghệ mới, thì hãng Crossbar mới đây lại giới thiệu một công nghệ mới hứa hẹn sẽ tạo nên sự đột biến trong công nghệ bộ nhớ. Crossbar cho biết họ đang phát triển loại bộ nhớ có tên Resistive RAM (RRAM).
Khi mà các nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND luôn tự hào về các tiến trình công nghệ mới, thì hãng Crossbar mới đây lại giới thiệu một công nghệ mới hứa hẹn sẽ tạo nên sự đột biến trong công nghệ bộ nhớ. Crossbar cho biết họ đang phát triển loại bộ nhớ có tên Resistive RAM (RRAM).
 |
| Bộ nhớ RRAM |
So với các chip flash NAND, bộ nhớ của Crossbar rất nhỏ gọn với kích thước chỉ bằng 1 nửa. Đồng thời, RRAM cho tốc độ ghi dữ liệu cao hơn 20 lần (có thể lên tới 140 MB/giây), trong khi tốc độ đọc dữ liệu đạt 17 MB/giây. Chưa hết, chúng còn tiết kiệm điện hơn, tiêu thụ điện ít hơn 20 lần so với chip NAND. Bộ nhớ này cũng bền hơn 10 lần so với bộ nhớ mà chúng ta đang dùng hiện nay.
RRAM là loại bộ nhớ "không bay hơi" (non-volatile) có nghĩa là nó có khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi nguồn điện bị ngắt. Ngoài ra, cấu trúc chồng cell kiểu 3D cho phép Crossbar dễ dàng tăng dung lượng của bộ nhớ lên mà không phải tăng kích thước vật lý của chip.
Một con chip kích thước 200x200 mm có thể cho dung lượng lên tới 1 terabyte. Chi phí để sản xuất loại bộ nhớ này cũng không quá đắt bởi chúng không cần tới các loại vật liệu mới mà có thể dùng luôn các loại vật liệu để sản xuất bộ nhớ hiện nay. Thậm chí, chi phí sản xuất RRAM còn rẻ hơn so với chi phí để tạo nên bộ nhớ flash NAND hiện tại.
Ngoài việc tự sản xuất chip nhớ thì Crossbar cho biết họ cũng sẽ cấp phép bản quyền để các bên thứ 3 có thể cùng bắt tay sản xuất và phổ biến RRAM. Dự kiến công nghệ này sẽ phải mất từ 2 đến 3 năm để có mặt trên các thiết bị công nghệ như smartphone hay tablet. Tuy nhiên, quá trình này có thể được rút ngắn lại hoặc kéo dài thêm tùy vào nhu cầu thị trường.
.gif)
0 nhận xét:
Đăng nhận xét